开关电源中的半导体器件_电源工程师技术培训网

我的培训

初级培训

中级培训

高级培训（筹备中）

培训中心

课程学习

AI 助理

关于反盗版和防盗链等技术措施声明

本网站对自制的课程视频内容，采取了必要的反盗版和防盗链等技术措施，并且添加、设置权利管理电子信息。任何单位或个人，未经本网站主办方的许可，不得以任何方式（包括但不限于：盗链、冗余盗取等）直接或间接地盗取相关视频内容、不得以任何方式（包括但不限于：隐藏或者修改本网站域名、播放器软件、标识等）删除或者改变相关视频内容的权利管理电子信息。
否则，本网站主办方将保留进一步追究侵权者法律责任的权利。

不同意同意

30天内不再提示

手机浏览器不支持视频播放，请通过PC端观看！

即将自动播放下一章节10s

课后答题

当前浏览器版本过低，视频无法播放
建议升级或更换其他浏览器。

查看支持的浏览器

此处有更正，点击查看

您是否已了解修改内容？

我已了解

试看5分钟，登录 myTI 观看完整视频

学习课程
授课教师
课后答题

陆冰

德州仪器系统工程师德州仪器技术委员会资深委员（SMTS）

陆冰博士于2006年从弗吉尼亚理工及州立大学获得博士学位并加入德州仪器，专注于AC/DC及隔离DC/DC控制芯片的研发及技术支持。参与并领导了各类电源控制芯片的研发，包括PFC，LLC，同步整流，反激电路，全桥及半桥控制芯片。现为高电压控制器系统工程师及德州仪器技术委员会资深委员（SMTS）。

您有1次直接答题机会

问答

本节课件

《反盗版盗链声明》

课程介绍

开关电源中的半导体器件

总章节：6
课程时长：58:52

功率半导体器件是开关电源的重要组成部分，它将电能从一种形式变换为另一种形式。这章课程对功率半导体的基本工作原理进行了介绍。通过对二极管，MOSFET，以及同步整流管的工作原理的分析，我们可以掌握开关电源设计中功率半导体器件的选取，损耗的计算，以及驱动电路的设计。另外，这一章课程还介绍了未来将会流行的宽禁带半导体器件，它们的工作原理，以及相对于现有的硅半导体器件的优势。

学习课程
授课教师
课后答题

陆冰

德州仪器系统工程师德州仪器技术委员会资深委员（SMTS）

陆冰博士于2006年从弗吉尼亚理工及州立大学获得博士学位并加入德州仪器，专注于AC/DC及隔离DC/DC控制芯片的研发及技术支持。参与并领导了各类电源控制芯片的研发，包括PFC，LLC，同步整流，反激电路，全桥及半桥控制芯片。现为高电压控制器系统工程师及德州仪器技术委员会资深委员（SMTS）。

您有1次直接答题机会

章节速览

00:00

Mosfet损耗的计算

讨论了Mosfet损耗的组成部分，包括导通损耗和开关损耗。导通损耗是由电流流过MOSfet导通电阻所产生的损耗，而开关损耗则是MOSfet在开关过程中产生的损耗，包括开通损耗和关断损耗。开关损耗可以通过拓扑结构的变化来降低或消除。使用软开关电路虽然降低了开关损耗，但也增加了导通损耗。

讨论了Mosfet损耗的组成部分，包括导通损耗和开关损耗。导通损耗是由电流流过MOSfet导通电阻所产生的损耗，而开关损耗则是MOSfet在开关过程中产生的损耗，包括开通损耗和关断损耗。开关损耗可以通过拓扑结构的变化来降低或消除。使用软开关电路虽然降低了开关损耗，但也增加了导通损耗。

01:03

Mosfet损耗的计算

1. MOSFET的导通损耗与导通电压和导通电流成正比，可以通过电阻的功率公式来计算。 2. MOSFET的导通损耗与导通电阻成正比，与开关电流的有效值的平方成正比。 3. MOSFET的导通损耗随着温度升高而升高。 4. 当MOSFET并联时，导通电阻有正温度系数，可以使得电流自动保持平衡。

1. MOSFET的导通损耗与导通电压和导通电流成正比，可以通过电阻的功率公式来计算。 2. MOSFET的导通损耗与导通电阻成正比，与开关电流的有效值的平方成正比。 3. MOSFET的导通损耗随着温度升高而升高。 4. 当MOSFET并联时，导通电阻有正温度系数，可以使得电流自动保持平衡。

02:03

Mosfet损耗的计算

我们讨论了电流的有效值的计算方法。我们知道，导通损耗由导通电阻和电流的有效值所决定。电流的有效值可以通过在一个开关周期内对电流的平方做积分，然后平均后开根号来计算。开关电源中的电流波形主要有方波、梯形波、三角波和正弦波。针对不同的波形，我们可以使用类似的方法来计算其电流有效值。例如，对于方波，当幅值为I、占空比为D时，其电流有效值可以计算为根号D乘上I。同样，我们可以使用类似的方法来计算梯形波和正弦波的有效值。

我们讨论了电流的有效值的计算方法。我们知道，导通损耗由导通电阻和电流的有效值所决定。电流的有效值可以通过在一个开关周期内对电流的平方做积分，然后平均后开根号来计算。开关电源中的电流波形主要有方波、梯形波、三角波和正弦波。针对不同的波形，我们可以使用类似的方法来计算其电流有效值。例如，对于方波，当幅值为I、占空比为D时，其电流有效值可以计算为根号D乘上I。同样，我们可以使用类似的方法来计算梯形波和正弦波的有效值。

02:54

Mosfet损耗的计算

1. MOSFET的开关损耗是由门级电阻、门级电压和漏极电流的变化引起的。 2. 在开通过程中，漏极电压下降，门级电压上升，造成电压和电流的重叠，产生开通损耗。 3. 开通损耗可以通过公式计算，其中包括开关频率、开关时间和其他因素。 4. 在区间二和区间三中，电压和电流重叠，造成了开通损耗。 5. 开通损耗的计算需要考虑开关频率、开关时间等因素。

1. MOSFET的开关损耗是由门级电阻、门级电压和漏极电流的变化引起的。 2. 在开通过程中，漏极电压下降，门级电压上升，造成电压和电流的重叠，产生开通损耗。 3. 开通损耗可以通过公式计算，其中包括开关频率、开关时间和其他因素。 4. 在区间二和区间三中，电压和电流重叠，造成了开通损耗。 5. 开通损耗的计算需要考虑开关频率、开关时间等因素。

03:44

mosfet开通源和关断过程分析

1. 使用电路分析model ad的光断言。 2. 在mosfet关断之前，VGS保持驱动的电压。 3. 当驱动电压变为零后，MOS fad的门级电容通过门级电阻进行放电，门极电压持续下降。 4. 当门级电压下降到平台电压时，电流和电压都保持不变。 5. 当漏极电压上升到无线电压时，漏极电压停止上升，然后门级电压开始下降。

1. 使用电路分析model ad的光断言。 2. 在mosfet关断之前，VGS保持驱动的电压。 3. 当驱动电压变为零后，MOS fad的门级电容通过门级电阻进行放电，门极电压持续下降。 4. 当门级电压下降到平台电压时，电流和电压都保持不变。 5. 当漏极电压上升到无线电压时，漏极电压停止上升，然后门级电压开始下降。

06:25

mosfet的驱动损耗与开关速度

讨论了如何调整MOSfet的驱动速度。通过外部门级电阻可以调整开通和关断的速度，并且可以使用外接光电二极管来实现独立调整。一些驱动IC如UCC27511具有独立的上拉和下拉拐角，可以实现不同的开通和关断速度调整，而不需要额外的二极管。

讨论了如何调整MOSfet的驱动速度。通过外部门级电阻可以调整开通和关断的速度，并且可以使用外接光电二极管来实现独立调整。一些驱动IC如UCC27511具有独立的上拉和下拉拐角，可以实现不同的开通和关断速度调整，而不需要额外的二极管。

收
起

章节速览

00:00

Mosfet损耗的计算

讨论了Mosfet损耗的组成部分，包括导通损耗和开关损耗。导通损耗是由电流流过MOSfet导通电阻所产生的损耗，而开关损耗则是MOSfet在开关过程中产生的损耗，包括开通损耗和关断损耗。开关损耗可以通过拓扑结构的变化来降低或消除。使用软开关电路虽然降低了开关损耗，但也增加了导通损耗。

讨论了Mosfet损耗的组成部分，包括导通损耗和开关损耗。导通损耗是由电流流过MOSfet导通电阻所产生的损耗，而开关损耗则是MOSfet在开关过程中产生的损耗，包括开通损耗和关断损耗。开关损耗可以通过拓扑结构的变化来降低或消除。使用软开关电路虽然降低了开关损耗，但也增加了导通损耗。

01:03

Mosfet损耗的计算

1. MOSFET的导通损耗与导通电压和导通电流成正比，可以通过电阻的功率公式来计算。 2. MOSFET的导通损耗与导通电阻成正比，与开关电流的有效值的平方成正比。 3. MOSFET的导通损耗随着温度升高而升高。 4. 当MOSFET并联时，导通电阻有正温度系数，可以使得电流自动保持平衡。

1. MOSFET的导通损耗与导通电压和导通电流成正比，可以通过电阻的功率公式来计算。 2. MOSFET的导通损耗与导通电阻成正比，与开关电流的有效值的平方成正比。 3. MOSFET的导通损耗随着温度升高而升高。 4. 当MOSFET并联时，导通电阻有正温度系数，可以使得电流自动保持平衡。

02:03

Mosfet损耗的计算

我们讨论了电流的有效值的计算方法。我们知道，导通损耗由导通电阻和电流的有效值所决定。电流的有效值可以通过在一个开关周期内对电流的平方做积分，然后平均后开根号来计算。开关电源中的电流波形主要有方波、梯形波、三角波和正弦波。针对不同的波形，我们可以使用类似的方法来计算其电流有效值。例如，对于方波，当幅值为I、占空比为D时，其电流有效值可以计算为根号D乘上I。同样，我们可以使用类似的方法来计算梯形波和正弦波的有效值。

我们讨论了电流的有效值的计算方法。我们知道，导通损耗由导通电阻和电流的有效值所决定。电流的有效值可以通过在一个开关周期内对电流的平方做积分，然后平均后开根号来计算。开关电源中的电流波形主要有方波、梯形波、三角波和正弦波。针对不同的波形，我们可以使用类似的方法来计算其电流有效值。例如，对于方波，当幅值为I、占空比为D时，其电流有效值可以计算为根号D乘上I。同样，我们可以使用类似的方法来计算梯形波和正弦波的有效值。

02:54

Mosfet损耗的计算

1. MOSFET的开关损耗是由门级电阻、门级电压和漏极电流的变化引起的。 2. 在开通过程中，漏极电压下降，门级电压上升，造成电压和电流的重叠，产生开通损耗。 3. 开通损耗可以通过公式计算，其中包括开关频率、开关时间和其他因素。 4. 在区间二和区间三中，电压和电流重叠，造成了开通损耗。 5. 开通损耗的计算需要考虑开关频率、开关时间等因素。

1. MOSFET的开关损耗是由门级电阻、门级电压和漏极电流的变化引起的。 2. 在开通过程中，漏极电压下降，门级电压上升，造成电压和电流的重叠，产生开通损耗。 3. 开通损耗可以通过公式计算，其中包括开关频率、开关时间和其他因素。 4. 在区间二和区间三中，电压和电流重叠，造成了开通损耗。 5. 开通损耗的计算需要考虑开关频率、开关时间等因素。

03:44

mosfet开通源和关断过程分析

1. 使用电路分析model ad的光断言。 2. 在mosfet关断之前，VGS保持驱动的电压。 3. 当驱动电压变为零后，MOS fad的门级电容通过门级电阻进行放电，门极电压持续下降。 4. 当门级电压下降到平台电压时，电流和电压都保持不变。 5. 当漏极电压上升到无线电压时，漏极电压停止上升，然后门级电压开始下降。

1. 使用电路分析model ad的光断言。 2. 在mosfet关断之前，VGS保持驱动的电压。 3. 当驱动电压变为零后，MOS fad的门级电容通过门级电阻进行放电，门极电压持续下降。 4. 当门级电压下降到平台电压时，电流和电压都保持不变。 5. 当漏极电压上升到无线电压时，漏极电压停止上升，然后门级电压开始下降。

06:25

mosfet的驱动损耗与开关速度

讨论了如何调整MOSfet的驱动速度。通过外部门级电阻可以调整开通和关断的速度，并且可以使用外接光电二极管来实现独立调整。一些驱动IC如UCC27511具有独立的上拉和下拉拐角，可以实现不同的开通和关断速度调整，而不需要额外的二极管。

讨论了如何调整MOSfet的驱动速度。通过外部门级电阻可以调整开通和关断的速度，并且可以使用外接光电二极管来实现独立调整。一些驱动IC如UCC27511具有独立的上拉和下拉拐角，可以实现不同的开通和关断速度调整，而不需要额外的二极管。

收
起

章
节
速
览

您尚未看完课程，是否直接答题？

1. 如您已掌握本课节内容，可无需观看课程直接答题，节省您宝贵的时间；

2. 您必须一次性答对全部题目，如答题错误需返回并看完课程才可再次答题

返回继续观看课程

我已知晓，去答题

不再提醒

切换课程移到了这里

切换章节移到了这里

帮助中心常见问题网站介绍隐私条款注册协议反盗版盗链声明联系我们举报
报名入口电源工程师资深电源工程师电源设计专家
联系我们
邮箱：support@ee-training.com999
客服电话：022-a999999b8742a999999b 3961（工作日：08:30-17:30 ）
企业服务：022-a999999b8742a999999b 0700
微信公众号
请使用微信扫码
微信视频号
请使用微信扫码
抖音号
请使用抖音扫码

在线客服

实时人工反馈

电话咨询

022-8742 3961

邮件咨询

support@ee-training.com

微信客服

微信扫码添加

您在培训过程中有任何问题可以进行求助

查看培训流程

培训宝典

电源工程师培训-初级资深电源工程师培训-中级

公告标题公告标题公告标题公告标题公告标题

2023-05-07 13:29:56

公告内容内容内容内容内容内容内容内容列表内容内容内容内容内容内容内容内容公告内容公告内容内容内容内容内容内容内容内容列表内容内容内容内容内容内容内容内容公告内容公告内容内容内容内容内容内容内容内容列表内容内容内容内容内容内容内容内容公告内容公告内容内容内容内容内容内容内容内容列表内容内容内容内容内容内容内容内容公告内容公告内容内容内容内容内容内容内容内容列表内容内容内容内容内容内容内容内容公告内容公告内容内容内容内容内容内容内容内容列表内容内容内容内容内容内容内容内容公告内容公告内容内容内容内容内容内容内容内容列表内容内容内容内容内容内容内容内容公告内容公告内容内容内容内容内容内容内容内容列表内容内容内容内容内容内容内容内容公告内容公告内容内容内容内容内容内容内容内容列表内容内容内容内容内容内容内容内容公告内容

不再提醒