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答案错了吧,边柱磁通为中柱一半,边柱面积为中柱一半,两者之比边柱磁通应该与中柱相同
答案为B。查看附件图片。
边柱的截面积减半,磁通量也减半了,所以边柱磁通密度应该还是V0*D*Ts/(Np*Ae)
对,答案为B. 如附件。
如图,这里面的等式成立吗,右边是积分,表示正弦波半个周期的面积,右边是电压的计算公式,表示不一样的结果啊
就是电磁感应定律啊,当电压u加到线圈输入端时,在线圈中产生电流,引起磁芯中磁场变化。 u=e=N*A*deltaB/dt
设励磁电压不变,增大磁芯磁路中的气隙:当励磁电压分别为直流和交流时,磁路的磁通分别为______。正确答案:C A、不变和减小 B、不变和增大 C、减小和不变 D、增大和不变 请问能否联系公式分析一下,谢谢
励磁电压为直流时: 当励磁电压为直流时,磁通主要受到直流磁通的影响。增大气隙会增加磁路的总磁阻,导致磁通减小。这是因为气隙对磁通的磁阻远大于磁芯的磁阻。因此,增大气隙会导致磁通减小。 励磁电压为交流时: 当励磁电压为交流时,情况会有所不同。气隙的增大会导致磁路中的总磁阻增加,但是对于交流信号,磁通会随着信号的频率变化而变化。在低频情况下,增大气隙可能会导致磁通减小,因为气隙对于低频信号的磁阻更大。然而,在高频情况下,由于交流信号频率较高,磁通会更多地通过磁芯,因此增大气隙可能不会显著影响磁通的大小。
磁通面积减半,磁通量减半,磁感应强度B不变,仍是V0*D*Ts/(Np*Ae)
磁通量φ=U*Ton/N=V0*D*T/N, 磁通密度B=φ/Ae,中柱的磁通密度为:Bmid=V0*D*T/(N*Ae),边柱因为面积减少一半,所以为磁通面积为中柱的2倍,即2*V0*D*T/(N*Ae).
为什么不是B?
?答案是B啊。
答案不是B吗
恒定直流电压激励的磁路中,如果增大气隙,磁通减少,电感减少 ,电流基本不变。 如果是交流电压激励的磁路,如果增大气隙,磁通基本不变,电感减少,电流增加。
为何不是A?
E=△Φ/△t=△BS/△t,是指磁通量的变化率。
不明白,如何计算?
H=B/u,B=H*u,H=i*N/L,u=u0*ur B=H*u=i*N*u/L I=B*L/(u*N) 代入得I=1A。
看讲义上答案是A啊
有一负号。见附件图片。
第三课,磁路 这几个公式如何得到的?请说明
你好,磁路的基本概念,请参考 赵修科 的 开关电源中磁性元器件 第三章。
磁性元件/磁路这一课,讲解通俗易懂一些才好,而且课后答题在视频经常没有提及,所以不知道如何回答
收到您的建议了,会去反馈
A是如何计算出来的
磁通量φ=U*Ton/N=V0*D*T/N, 磁通密度B=φ/Ae,中柱的磁通密度为:Bmid=V0*D*T/(N*Ae),边柱因为面积减少一半,所以为磁通面积为中柱的2倍,即2*V0*D*T/(N*Ae).
单选设励磁电压不变,增大磁芯磁路中的气隙:当励磁电压分别为直流和交流时,磁路的磁通分别为______。正确答案:C 为甚吗? 视频中没有详细说明这个给问题
励磁电压为直流时: 当励磁电压为直流时,磁通主要受到直流磁通的影响。增大气隙会增加磁路的总磁阻,导致磁通减小。这是因为气隙对磁通的磁阻远大于磁芯的磁阻。因此,增大气隙会导致磁通减小。 励磁电压为交流时: 当励磁电压为交流时,情况会有所不同。气隙的增大会导致磁路中的总磁阻增加,但是对于交流信号,磁通会随着信号的频率变化而变化。在低频情况下,增大气隙可能会导致磁通减小,因为气隙对于低频信号的磁阻更大。然而,在高频情况下,由于交流信号频率较高,磁通会更多地通过磁芯,因此增大气隙可能不会显著影响磁通的大小。