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  • 学习课程
  • 授课教师
  • 课后答题
梁俊锋
德州仪器资深技术应用工程师 德州仪器技术委员会委员
近20年半导体行业电源设计与支持经验 2002-2005 安森美系统工程师,负责ACDC参考电源设计,设计有业内第一款60W高效率准谐振LCD TV电源 2005-2011美国国家半导体,资深应用工程师,负责TOP通信客户电源技术支持和新兴市场电源技术支持,成功帮助一家TOP通信客户建立起自己的200W以内的模拟电源模块系列,市场第一个提出48V架构LED大功率路灯简化设计减小路灯尺寸与成本 2011-现在 德州仪器半导体技术,资深应用工程师,负责TOP通信客户的电源技术支持,完成多款定制芯片的定义,帮助TOP通信客户提高他们产品的核心竞争力。
冀玉丕
TI 汽车电源设计团队的系统经理
负责亚太区汽车的电源参考设计方案,毕业于华南理工大学电力电子与电力传动专业,2012年加入TI,多年来一直致力于直流转直流和交流转直流功率变换器电源设计解决方案的研究,拥有丰富的电源工作经验。
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课程介绍
线性调压器与LDO
  • 总章节:11
  • 课程时长:01:03:36
  • 学习课程
  • 授课教师
  • 课后答题
梁俊锋
德州仪器资深技术应用工程师 德州仪器技术委员会委员
近20年半导体行业电源设计与支持经验 2002-2005 安森美系统工程师,负责ACDC参考电源设计,设计有业内第一款60W高效率准谐振LCD TV电源 2005-2011美国国家半导体,资深应用工程师,负责TOP通信客户电源技术支持和新兴市场电源技术支持,成功帮助一家TOP通信客户建立起自己的200W以内的模拟电源模块系列,市场第一个提出48V架构LED大功率路灯简化设计减小路灯尺寸与成本 2011-现在 德州仪器半导体技术,资深应用工程师,负责TOP通信客户的电源技术支持,完成多款定制芯片的定义,帮助TOP通信客户提高他们产品的核心竞争力。
冀玉丕
TI 汽车电源设计团队的系统经理
负责亚太区汽车的电源参考设计方案,毕业于华南理工大学电力电子与电力传动专业,2012年加入TI,多年来一直致力于直流转直流和交流转直流功率变换器电源设计解决方案的研究,拥有丰富的电源工作经验。
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00:00
线性稳压器与LDO拓扑结构介绍
1. NPN型线性稳压器包括两个NPN型功率管和一个为功率管提供偏置的管子,由于功率管和偏置管的电压降,导致其Drop Out电压相对较高。 2. CMOS型LDO的Drop Out电压由管子的RDS(On)决定,选择低RDS(On)的管子可降低Drop Out电压。 3. 准LDO稳压器结合了NPN型和PNP型的特性,使用NP型管子作为功率管,其Drop Out电压较低但相比纯NPN型还是较高。 4. NPN型线性稳压器的负载电流与偏置电流之间存在比例关系,导致工作静态电流较高。 5. NP型线性稳压器的结构设计上共用部分元件,展现了其设计特点。
1. NPN型线性稳压器包括两个NPN型功率管和一个为功率管提供偏置的管子,由于功率管和偏置管的电压降,导致其Drop Out电压相对较高。 2. CMOS型LDO的Drop Out电压由管子的RDS(On)决定,选择低RDS(On)的管子可降低Drop Out电压。 3. 准LDO稳压器结合了NPN型和PNP型的特性,使用NP型管子作为功率管,其Drop Out电压较低但相比纯NPN型还是较高。 4. NPN型线性稳压器的负载电流与偏置电流之间存在比例关系,导致工作静态电流较高。 5. NP型线性稳压器的结构设计上共用部分元件,展现了其设计特点。
03:10
线性稳压器的类型及特性比较
1. 共射极电路的一个显著特点是输出阻抗相对较低,这使得它可以实现较高的带宽。 2. 共射极电路对于输出电容几乎没有任何特殊要求,易于达到稳定状态,简化设计难度。 3. 由于共射极的结构特性,所需的偏置电流相对较小,从而降低了静态电流消耗。 4. 缺点是共射极电路在线路上的Drop Out电压相对较高。
1. 共射极电路的一个显著特点是输出阻抗相对较低,这使得它可以实现较高的带宽。 2. 共射极电路对于输出电容几乎没有任何特殊要求,易于达到稳定状态,简化设计难度。 3. 由于共射极的结构特性,所需的偏置电流相对较小,从而降低了静态电流消耗。 4. 缺点是共射极电路在线路上的Drop Out电压相对较高。
04:30
线性稳压器的类型及特性比较
1. PNP型管子的带宽相对较低,但因其拙怕电压较低,故应用范围广。 2. PNP型管子在输出负载变化时,偏置电流亦随之变化,导致静态电流相对较高。 3. 高静态电流使得PNP型管子在低功耗要求场合的适用性降低。 4. NPN型准LDO的主功率管为NPN型,因此输出阻抗较低,带宽较高。 5. NPN型准LDO对输出电容没有特殊要求,允许使用容量相对较低的输出电容。
1. PNP型管子的带宽相对较低,但因其拙怕电压较低,故应用范围广。 2. PNP型管子在输出负载变化时,偏置电流亦随之变化,导致静态电流相对较高。 3. 高静态电流使得PNP型管子在低功耗要求场合的适用性降低。 4. NPN型准LDO的主功率管为NPN型,因此输出阻抗较低,带宽较高。 5. NPN型准LDO对输出电容没有特殊要求,允许使用容量相对较低的输出电容。
05:24
线性稳压器的类型及特性比较
1. 与传统的NPN型管子相比,其仅在线路上产生压降,导致输出电压相对较低。 2. P型管子因输出值较高,导致负载调整率不如PNP型LDO。 3. 某类型管子相比PNP型LDO,具有更好的负载调整率。 4. PFET设计用于汽车中,当电池接反时提供防反击保护。
1. 与传统的NPN型管子相比,其仅在线路上产生压降,导致输出电压相对较低。 2. P型管子因输出值较高,导致负载调整率不如PNP型LDO。 3. 某类型管子相比PNP型LDO,具有更好的负载调整率。 4. PFET设计用于汽车中,当电池接反时提供防反击保护。
06:15
线性稳压器的类型及特性比较
1. 功率级别从三极管转化成mos管,mos管的周怕电压由P5的RDS决定,实现非常低的dropout电压。 2. 三极管是电流型控制,而mos管是电压型控制,导致mos管的工作静态电流相对较低。 3. mos管的DI特性意味着输出负载变化不会对静态电流产生显著影响。 4. 比较NPN型和偏僻型架构,探讨它们之间的差异。
1. 功率级别从三极管转化成mos管,mos管的周怕电压由P5的RDS决定,实现非常低的dropout电压。 2. 三极管是电流型控制,而mos管是电压型控制,导致mos管的工作静态电流相对较低。 3. mos管的DI特性意味着输出负载变化不会对静态电流产生显著影响。 4. 比较NPN型和偏僻型架构,探讨它们之间的差异。
07:18
线性稳压器的类型及特性比较
1. NPN型晶体管的转化电压较高,通常在1.5伏到2.5伏之间,其静态电流较低,输出阻抗也相对较低,使得补偿较为轻松。 2. PNP型晶体管的电压较低,但静态电流较高,输出相当于电流源,因此输出阻抗较高,需要合适的补偿来稳定结构。 3. PFAT类型的稳压器能够实现非常低的drop out电压,工作电流低,输出阻抗低,且调整与负载无关,表现出优异的性能。
1. NPN型晶体管的转化电压较高,通常在1.5伏到2.5伏之间,其静态电流较低,输出阻抗也相对较低,使得补偿较为轻松。 2. PNP型晶体管的电压较低,但静态电流较高,输出相当于电流源,因此输出阻抗较高,需要合适的补偿来稳定结构。 3. PFAT类型的稳压器能够实现非常低的drop out电压,工作电流低,输出阻抗低,且调整与负载无关,表现出优异的性能。
08:15
LDO稳压器的类型及应用范围
1. 为了保证输出电压的稳定,需要提供合适的静态电流,且静态电流与输出负载直接相关。 2. PNP型电路的drop out电压相对较高,与PFET型相比有明显区别。 3. 除了PFET型LDO外,还存在NFET型LDO,用于不同应用场景。 4. 对于PFET型LDO,当输入电压低于2.5伏时,不能保证PFET的有效导通。
1. 为了保证输出电压的稳定,需要提供合适的静态电流,且静态电流与输出负载直接相关。 2. PNP型电路的drop out电压相对较高,与PFET型相比有明显区别。 3. 除了PFET型LDO外,还存在NFET型LDO,用于不同应用场景。 4. 对于PFET型LDO,当输入电压低于2.5伏时,不能保证PFET的有效导通。
09:30
LDO稳压器的类型及应用范围
1. 在电路中应用广泛,需要合理的偏置电压以确保晶体管的正常导通,这是因为它要求基极电压必须高于发射极电压,且超过门槛电压才能有效导通。 2. 具备高带宽和输出稳定性特点,对输出电容的影响要求不高,这表明NPN型晶体管在稳压和放大应用中具有明显优势。 3. 导通特性也决定了它可以实现相对较低的drop out电压,这是因为其内部结构允许电流在较低的电压差下流过。 4. 其在电路设计中对于偏置电压的选择尤为关键,合理的偏置可以确保晶体管工作在期望的工作点上,从而提高整个电路的性能和稳定性。
1. 在电路中应用广泛,需要合理的偏置电压以确保晶体管的正常导通,这是因为它要求基极电压必须高于发射极电压,且超过门槛电压才能有效导通。 2. 具备高带宽和输出稳定性特点,对输出电容的影响要求不高,这表明NPN型晶体管在稳压和放大应用中具有明显优势。 3. 导通特性也决定了它可以实现相对较低的drop out电压,这是因为其内部结构允许电流在较低的电压差下流过。 4. 其在电路设计中对于偏置电压的选择尤为关键,合理的偏置可以确保晶体管工作在期望的工作点上,从而提高整个电路的性能和稳定性。
10:32
LDO稳压器的类型及应用范围
1. NFET型号设计用于在输入电压低于2.5伏时,且需要较大电流的应用场景中,同时对低压输出也有特定要求。 2. 在这种条件下,低压输入和低压输出配合大电流使用,使该型号的应用场景相对广泛。 3. 必须设置合理的偏置电压,以确保LDO能够在要求的条件下有效运行。 4. 通过这种方式,增强了LDO的适用范围,使其能在更多情况下发挥作用。
1. NFET型号设计用于在输入电压低于2.5伏时,且需要较大电流的应用场景中,同时对低压输出也有特定要求。 2. 在这种条件下,低压输入和低压输出配合大电流使用,使该型号的应用场景相对广泛。 3. 必须设置合理的偏置电压,以确保LDO能够在要求的条件下有效运行。 4. 通过这种方式,增强了LDO的适用范围,使其能在更多情况下发挥作用。

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00:00
线性稳压器与LDO拓扑结构介绍
1. NPN型线性稳压器包括两个NPN型功率管和一个为功率管提供偏置的管子,由于功率管和偏置管的电压降,导致其Drop Out电压相对较高。 2. CMOS型LDO的Drop Out电压由管子的RDS(On)决定,选择低RDS(On)的管子可降低Drop Out电压。 3. 准LDO稳压器结合了NPN型和PNP型的特性,使用NP型管子作为功率管,其Drop Out电压较低但相比纯NPN型还是较高。 4. NPN型线性稳压器的负载电流与偏置电流之间存在比例关系,导致工作静态电流较高。 5. NP型线性稳压器的结构设计上共用部分元件,展现了其设计特点。
1. NPN型线性稳压器包括两个NPN型功率管和一个为功率管提供偏置的管子,由于功率管和偏置管的电压降,导致其Drop Out电压相对较高。 2. CMOS型LDO的Drop Out电压由管子的RDS(On)决定,选择低RDS(On)的管子可降低Drop Out电压。 3. 准LDO稳压器结合了NPN型和PNP型的特性,使用NP型管子作为功率管,其Drop Out电压较低但相比纯NPN型还是较高。 4. NPN型线性稳压器的负载电流与偏置电流之间存在比例关系,导致工作静态电流较高。 5. NP型线性稳压器的结构设计上共用部分元件,展现了其设计特点。
03:10
线性稳压器的类型及特性比较
1. 共射极电路的一个显著特点是输出阻抗相对较低,这使得它可以实现较高的带宽。 2. 共射极电路对于输出电容几乎没有任何特殊要求,易于达到稳定状态,简化设计难度。 3. 由于共射极的结构特性,所需的偏置电流相对较小,从而降低了静态电流消耗。 4. 缺点是共射极电路在线路上的Drop Out电压相对较高。
1. 共射极电路的一个显著特点是输出阻抗相对较低,这使得它可以实现较高的带宽。 2. 共射极电路对于输出电容几乎没有任何特殊要求,易于达到稳定状态,简化设计难度。 3. 由于共射极的结构特性,所需的偏置电流相对较小,从而降低了静态电流消耗。 4. 缺点是共射极电路在线路上的Drop Out电压相对较高。
04:30
线性稳压器的类型及特性比较
1. PNP型管子的带宽相对较低,但因其拙怕电压较低,故应用范围广。 2. PNP型管子在输出负载变化时,偏置电流亦随之变化,导致静态电流相对较高。 3. 高静态电流使得PNP型管子在低功耗要求场合的适用性降低。 4. NPN型准LDO的主功率管为NPN型,因此输出阻抗较低,带宽较高。 5. NPN型准LDO对输出电容没有特殊要求,允许使用容量相对较低的输出电容。
1. PNP型管子的带宽相对较低,但因其拙怕电压较低,故应用范围广。 2. PNP型管子在输出负载变化时,偏置电流亦随之变化,导致静态电流相对较高。 3. 高静态电流使得PNP型管子在低功耗要求场合的适用性降低。 4. NPN型准LDO的主功率管为NPN型,因此输出阻抗较低,带宽较高。 5. NPN型准LDO对输出电容没有特殊要求,允许使用容量相对较低的输出电容。
05:24
线性稳压器的类型及特性比较
1. 与传统的NPN型管子相比,其仅在线路上产生压降,导致输出电压相对较低。 2. P型管子因输出值较高,导致负载调整率不如PNP型LDO。 3. 某类型管子相比PNP型LDO,具有更好的负载调整率。 4. PFET设计用于汽车中,当电池接反时提供防反击保护。
1. 与传统的NPN型管子相比,其仅在线路上产生压降,导致输出电压相对较低。 2. P型管子因输出值较高,导致负载调整率不如PNP型LDO。 3. 某类型管子相比PNP型LDO,具有更好的负载调整率。 4. PFET设计用于汽车中,当电池接反时提供防反击保护。
06:15
线性稳压器的类型及特性比较
1. 功率级别从三极管转化成mos管,mos管的周怕电压由P5的RDS决定,实现非常低的dropout电压。 2. 三极管是电流型控制,而mos管是电压型控制,导致mos管的工作静态电流相对较低。 3. mos管的DI特性意味着输出负载变化不会对静态电流产生显著影响。 4. 比较NPN型和偏僻型架构,探讨它们之间的差异。
1. 功率级别从三极管转化成mos管,mos管的周怕电压由P5的RDS决定,实现非常低的dropout电压。 2. 三极管是电流型控制,而mos管是电压型控制,导致mos管的工作静态电流相对较低。 3. mos管的DI特性意味着输出负载变化不会对静态电流产生显著影响。 4. 比较NPN型和偏僻型架构,探讨它们之间的差异。
07:18
线性稳压器的类型及特性比较
1. NPN型晶体管的转化电压较高,通常在1.5伏到2.5伏之间,其静态电流较低,输出阻抗也相对较低,使得补偿较为轻松。 2. PNP型晶体管的电压较低,但静态电流较高,输出相当于电流源,因此输出阻抗较高,需要合适的补偿来稳定结构。 3. PFAT类型的稳压器能够实现非常低的drop out电压,工作电流低,输出阻抗低,且调整与负载无关,表现出优异的性能。
1. NPN型晶体管的转化电压较高,通常在1.5伏到2.5伏之间,其静态电流较低,输出阻抗也相对较低,使得补偿较为轻松。 2. PNP型晶体管的电压较低,但静态电流较高,输出相当于电流源,因此输出阻抗较高,需要合适的补偿来稳定结构。 3. PFAT类型的稳压器能够实现非常低的drop out电压,工作电流低,输出阻抗低,且调整与负载无关,表现出优异的性能。
08:15
LDO稳压器的类型及应用范围
1. 为了保证输出电压的稳定,需要提供合适的静态电流,且静态电流与输出负载直接相关。 2. PNP型电路的drop out电压相对较高,与PFET型相比有明显区别。 3. 除了PFET型LDO外,还存在NFET型LDO,用于不同应用场景。 4. 对于PFET型LDO,当输入电压低于2.5伏时,不能保证PFET的有效导通。
1. 为了保证输出电压的稳定,需要提供合适的静态电流,且静态电流与输出负载直接相关。 2. PNP型电路的drop out电压相对较高,与PFET型相比有明显区别。 3. 除了PFET型LDO外,还存在NFET型LDO,用于不同应用场景。 4. 对于PFET型LDO,当输入电压低于2.5伏时,不能保证PFET的有效导通。
09:30
LDO稳压器的类型及应用范围
1. 在电路中应用广泛,需要合理的偏置电压以确保晶体管的正常导通,这是因为它要求基极电压必须高于发射极电压,且超过门槛电压才能有效导通。 2. 具备高带宽和输出稳定性特点,对输出电容的影响要求不高,这表明NPN型晶体管在稳压和放大应用中具有明显优势。 3. 导通特性也决定了它可以实现相对较低的drop out电压,这是因为其内部结构允许电流在较低的电压差下流过。 4. 其在电路设计中对于偏置电压的选择尤为关键,合理的偏置可以确保晶体管工作在期望的工作点上,从而提高整个电路的性能和稳定性。
1. 在电路中应用广泛,需要合理的偏置电压以确保晶体管的正常导通,这是因为它要求基极电压必须高于发射极电压,且超过门槛电压才能有效导通。 2. 具备高带宽和输出稳定性特点,对输出电容的影响要求不高,这表明NPN型晶体管在稳压和放大应用中具有明显优势。 3. 导通特性也决定了它可以实现相对较低的drop out电压,这是因为其内部结构允许电流在较低的电压差下流过。 4. 其在电路设计中对于偏置电压的选择尤为关键,合理的偏置可以确保晶体管工作在期望的工作点上,从而提高整个电路的性能和稳定性。
10:32
LDO稳压器的类型及应用范围
1. NFET型号设计用于在输入电压低于2.5伏时,且需要较大电流的应用场景中,同时对低压输出也有特定要求。 2. 在这种条件下,低压输入和低压输出配合大电流使用,使该型号的应用场景相对广泛。 3. 必须设置合理的偏置电压,以确保LDO能够在要求的条件下有效运行。 4. 通过这种方式,增强了LDO的适用范围,使其能在更多情况下发挥作用。
1. NFET型号设计用于在输入电压低于2.5伏时,且需要较大电流的应用场景中,同时对低压输出也有特定要求。 2. 在这种条件下,低压输入和低压输出配合大电流使用,使该型号的应用场景相对广泛。 3. 必须设置合理的偏置电压,以确保LDO能够在要求的条件下有效运行。 4. 通过这种方式,增强了LDO的适用范围,使其能在更多情况下发挥作用。




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2023-05-07 13:29:56
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